سامسونگ و آی بی ام در حال کار بر روی یک تکنولوژی انقلابی برای باتری گوشی‌ های موبایل

سامسونگ و آی بی ام در حال کار بر روی یک تکنولوژی انقلابی برای باتری گوشی‌ های موبایل

سامسونگ و آی بی ام در تلاش برای توسعه یک تکنولوژی انقلابی برای باتری گوشی‌ های هوشمند هستند که می‌تواند سبب شود گوشی با یک بار شارژ تا چند هفته دوام بیاورد.

در سال‌های اخیر فناوری باتری‌ها آنچنان پیشرفت نکرده است و به همین خاطر است که ما مجبوریم هر روز گوشی‌های هوشمند خود را به شارژ بزنیم و یا با محدودیت‌های ماشین‌های برقی کنار بیاییم.

تکنولوژی انقلابی سامسونگ و IBM برای افزایش عمر باتری گوشی های موبایل

یک دهه از عمر باتری‌های لیتیومی می‌گذرد و اگرچه شاهد پیشرفت‌های متعددی همچون باتری های حالت جامد، کاتد گرافن، ابر خازن‌ها و … بوده‌ایم؛ اما همچنان چندین سال فرصت لازم است تا به مرحله تولید انبوه و استفاده از آنها در گجت‌های الکترونیکی برسیم. حالا سامسونگ و آی بی ام با در پیش گرفتن یک رویکرد کاملا متفاوت می‌خواهند یک تکنولوژی انقلابی را برای افزایش عمر باتری‌ های گوشی‌های هوشمند ارائه دهند.

در این فناوری به جای افزایش ظرفیت باتری، از یک معماری تراشه خاص استفاده شده است که پتانسیل کاهش مصرف انرژی تا ۸۵ درصد را دارد. بدین ترتیب گوشی‌های هوشمندی که از فناوری VTFET (Vertical Transport Nanosheet Filed effect Transistor) بهره می‌برند، می‌توانند با یک بار شارژ تا چند هفته دوام بیاورند.

تراشه‌های مدرن کنونی همچون اسنپدراگون‌های موجود در گوشی‌های اندرویدی و A15 Bionic آیفون بر پایه فناوری finFET (Lateral Ttransport field effect transistors) ساخته شده‌اند که یعنی ترانزیستور‌های داخل چیپست به شکل ویفر در یک سطح صاف قرار گرفته‌اند و سیگنال مربوطه باید در یک حالت دو‌ بعدی برود و برگردد.

در فناوری جدید VTFET، این طراحی گسترش پیدا کرده و به صورت عمودی درآمده است. در واقع سامسونگ و IBM توانسته‌اند برخی از محدودیت‌های طراحی جنجالی را دور بزنند و سطح تماس بهتری را در کنار طول گیت بهینه‌تر ترانزیستور ارائه کنند.

در نتیجه شرکت‌ها می‌توانند طراحی جدید را از دو جهت بهینه کنند. روش اول به مصرف انرژی اهمیت می‌دهد و در آن عملکرد چیپست تقریبا مشابه با معماری مدرن آرم (استفاده شده در تراشه پرچمدار اسنپدراگون و سری A اپل) خواهد بود، ولی از طرفی عمر باتری ۸۵ درصد افزایش پیدا می‌کند و عملا مشکل عمر باتری گوشی‌های هوشمند حل خواهد شد.

رویکرد دوم افزایش عملکرد چیپست را هدف قرار می‌دهد. در نتیجه با وجود مصرف انرژی یکسان در مقایسه با طراحی‌های کنونی، شاهد افزایش ۱۰۰ درصدی در قدرت پردازشی دستگاه خواهیم بود.

البته ما اکنون در حال صحبت در مورد نمونه‌های اولیه آزمایشگاهی هستیم؛ اما کارشناسان IBM بر این باورند که طراحی جدید این پتانسیل را دارد که به یک محصول نهایی با تولید انبوه بدل شود و این کار آنچنان سخت نخواهد بود. تکنولوژی انقلابی سامسونگ و آی بی ام کاربرد‌های فراوانی دارد که فراتر از افزایش عمر باتری گوشی‌ های هوشمند هستند.

با طراحی VTFET می‌توان انرژی مورد استفاده برای استخراج رمز ارز‌ها را کاهش داد که با توجه به استقبال شدیدی که از تکنولوژی بلاک‌ چین شده است، اهمیت زیادی دارد.

دیگر بخشی که می‌تواند از این فناوری بهره ببرد، اینترنت اشیاء است. در واقع می‌توانیم شاهد گجت‌های کوچکی باشیم که با یک بار شارژ تا چندین ماه دوام می‌آورند. آی بی ام و سامسونگ همچنین تاکید کردند که این دستاورد جدید می‌تواند عمر قانون مور (که هر دو سال تعداد ترانزیستور‌ها روی یک تراشه با مساحت ثابت دو برابر می‌شود) را بیشتر کند، قانونی که در تراشه‌های مدرن دیگر جوابگو نبود.

پیشتر نیز IBM از فناوری نود ۲ نانومتری رونمایی کرده بود که اجازه می‌داد تا ۵۰ میلیارد ترانزیستور را در چیپستی به اندازه ناخن انگشت جا دهیم. شاید هنوز فاصله زیادی با استفاده تجاری از این تکنولوژی های انقلابی برای افزایش عمر باتری و عملکرد گوشی های هوشمند داشته‌ باشیم؛ اما آینده امیدوار کننده است.

منبع :Phone Arenaمنبع گجت نیوز