تاریخ انتشار : جمعه ۵ اردیبهشت ۱۳۹۹ - ۹:۵۰
کد خبر : 16867

سامسونگ تولید انبوه اولین EUV DRAM جهان را با پنج میلیون ماژول آغاز کرد

سامسونگ تولید انبوه اولین EUV DRAM جهان را با پنج میلیون ماژول آغاز کرد

سامسونگ تولید انبوه اولین EUV DRAM جهان را با پنج میلیون ماژول آغاز کرد سامسونگ به عنوان برند پیشرو در حوزه فناوری‌های حافظه از آغاز تولید انبوه اولین EUV DRAM جهان با پنج میلیون ماژول خبر داد.
شرکت سامسونگ در مقام برند پیشرو در حوزه فناوری‌های حافظه اعلام کرد توانسته با موفقیت برای اولین بار یک میلیون عدد از ماژول‌های حافظه ۱۰ نانومتری DDR4 DRAM را با استفاده از فناوری فوق بنفش شدید یا EUV تولید و به فروش برساند. این ماژول‌های DRAM مبتنی بر EUV از مرحله ارزیابی توسط مشتریان با موفقیت عبور کرده و اکنون پنجره‌ای جدید را برای استفاده از نودهای پردازش با استفاده از فناوری پیشرفته EUV در کامپیوتر، موبایل، سرورهای تجاری و پایگاه داده‌ها باز می‌کنند.
تولید انبوه اولین EUV DRAM توسط سامسونگ
جانگ‌بی لی، مدیر اجرایی محصولات و فناوری DRAM سامسونگ می‌گوید با تولید این DRAM جدید مبتنی بر EUV، ما تعهد کامل خودمان به ارائه راهکارهای پیشرفته در حوزه DRAM و حمایت از مشتریان حوزه IT را به نمایش گذاشتیم. او افزود این پیشرفت مهم نشان می‌دهد ما از طریق توسعه زمان بند فناوری‌های پیشرفته پردا..

سامسونگ تولید انبوه اولین EUV DRAM جهان را با پنج میلیون ماژول آغاز کرد

سامسونگ به عنوان برند پیشرو در حوزه فناوری‌های حافظه از آغاز تولید انبوه اولین EUV DRAM جهان با پنج میلیون ماژول خبر داد.

شرکت سامسونگ در مقام برند پیشرو در حوزه فناوری‌های حافظه اعلام کرد توانسته با موفقیت برای اولین بار یک میلیون عدد از ماژول‌های حافظه ۱۰ نانومتری DDR4 DRAM را با استفاده از فناوری فوق بنفش شدید یا EUV تولید و به فروش برساند. این ماژول‌های DRAM مبتنی بر EUV از مرحله ارزیابی توسط مشتریان با موفقیت عبور کرده و اکنون پنجره‌ای جدید را برای استفاده از نودهای پردازش با استفاده از فناوری پیشرفته EUV در کامپیوتر، موبایل، سرورهای تجاری و پایگاه داده‌ها باز می‌کنند.

تولید انبوه اولین EUV DRAM توسط سامسونگ

سامسونگ

جانگ‌بی لی، مدیر اجرایی محصولات و فناوری DRAM سامسونگ می‌گوید با تولید این DRAM جدید مبتنی بر EUV، ما تعهد کامل خودمان به ارائه راهکارهای پیشرفته در حوزه DRAM و حمایت از مشتریان حوزه IT را به نمایش گذاشتیم. او افزود این پیشرفت مهم نشان می‌دهد ما از طریق توسعه زمان بند فناوری‌های پیشرفته پردازشی و محصولات آینده‌گرا در حوزه حافظه، تا چه حد بر نوآوری‌های صنعت جهانی IT تاثیرگذار هستیم.

سامسونگ اولین شرکتی است که از فناوری EUV برای تولید DRAM و با هدف فایق شدن بر چالش‌های مقیاس‎بندی DRAM استفاده می‌کند. فناوری EUV مراحل تکراری در الگوسازی‌های مکرر را از بین برده و دقت الگوسازی را تقویت می‌کند. این فناوری همچنین با فراهم کردن امکان تقویت عملکرد، بازدهی بالاتری داشته و به این ترتیب زمان توسعه محصول را کوتاه‌تر می‌کند.

سامسونگ

فناوری EUV به صورت کامل در نسل آینده DRAMهای سامسونگ استفاده خواهد شد و این روند با معرفی نسل چهارم حافظه‌های ۱۰ نانومتری (Da1) یا DRAMهای ۱۴ نانومتری فوق پیشرفته آغاز خواهد شد. انتظار می‌رود سامسونگ تولید انبوه حافظه‌های DDR5 و LPDDR5 مبتنی بر D1a را در سال آینده آغاز کند. این کار می‎تواند بهره‌وری تولید ویفرهای ۱۲ اینچی از حافظه D1x را تا دو برابر بیشتر کند.

متناسب با توسعه بازار DDR5/LPDDR5 در سال آینده، سامسونگ همکاری خود با مشتریان اصلی حوزه IT و فروشندگان نیمه‌هادی‌ها را برای بهینه‌سازی تعریف استانداردها، تقویت کرده و در عین حال برای تسریع حرکت کل بازار حافظه به سمت DDR5/LPDDR5 تلاش خواهد کرد.

ما همچنین به منظور تامین بهتر تقاضای فزاینده بازار برای حافظه‌های پیشرفته DRAM، یک خط تولید ثانویه نیمه‌هادی‌ها را در شهر پیونگ تائک کره‌جنوبی در نیمه اول امسال، راه‌اندازی خواهیم کرد.

جدول زمانی تحولات مهم در تولیدات DRAM سامسونگ

تاریختحولات مهم در تولیدات DRAM سامسونگ
۲۰۲۱ (تاریخ دقیق مشخص نشده)تولید انبوه نسل چهارم EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 ۱۰ نانومتری (۱a)
مارچ ۲۰۲۰توسعه نسل چهارم EUV-based DRAM ۱۰ نانومتری (۱a)
سپتامبر ۲۰۱۹تولید انبوه نسل سوم ۸Gb DDR4 ۱۰ نانومتری (۱z)
ژوئن ۲۰۱۹تولید انبوه نسل دوم ۱۲Gb LPDDR5 ۱۰ نانومتری (۱y)
مارچ ۲۰۱۹توسعه نسل سوم ۸Gb DDR4 ۱۰ نانومتری (۱z)
نوامبر ۲۰۱۷تولید انبوه نسل دوم ۸Gb DDR4 ۱۰ نانومتری (۱y)
سپتامبر ۲۰۱۶تولید انبوه اولین نسل ۱۶Gb LPDDR4/4X ۱۰ نانومتری (۱x)
فوریه ۲۰۱۶تولید انبوه اولین نسل ۸Gb DDR4 ۱۰ نانومتری (۱x)
اکتبر ۲۰۱۵تولید انبوه ۱۲Gb LPDDR4 ۲۰ نانومتری (۲z)
دسامبر ۲۰۱۴تولید انبوه ۸Gb GDDR5 ۲۰ نانومتری (۲z)
دسامبر ۲۰۱۴تولید انبوه ۸Gb LPDDR4 ۲۰ نانومتری (۲z)
اکتبر ۲۰۱۴تولید انبوه ۸Gb DDR4 ۲۰ نانومتری (۲z)
فوریه ۲۰۱۴تولید انبوه ۴Gb DDR3 ۲۰ نانومتری (۲z)
فوریه ۲۰۱۴تولید انبوه ۸Gb LPDDR4 ۲۰ نانومتری (۲y)
نوامبر ۲۰۱۳تولید انبوه ۶Gb LPDDR3 ۲۰ نانومتری (۲y)
نوامبر ۲۰۱۲تولید انبوه ۴Gb DDR3۲۰ نانومتری (۲y)
سپتامبر ۲۰۱۱تولید انبوه ۲Gb DDR3۲۰ نانومتری (۲x)
جولای ۲۰۱۰تولید انبوه ۲Gb DDR3۳۰ نانومتری
فوریه ۲۰۱۰تولید انبوه ۴Gb DDR3 ۴۰ نانومتری
جولای ۲۰۰۹تولید انبوه ۲Gb DDR3۴۰ نانومتری

این مطلب در قالب رپورتاژ آگهی و توسط شرکت های ثالث به عنوان بیانیه مطبوعاتی یا متن تبلیغاتی برای گجت نیوز ارسال شده و گجت نیوز در قبال موارد مندرج در آن مسئولیتی ندارد.لینک منبع

برچسب ها :

ناموجود
ارسال نظر شما
مجموع نظرات : 0 در انتظار بررسی : 0 انتشار یافته : 0
  • نظرات ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
  • نظراتی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
  • نظراتی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با خبر باشد منتشر نخواهد شد.